발표 완료
FY2026 Q3
실적 리뷰LRCX
램리서치
Lam Research · 반도체 장비
2026년 4월 22일 수·장 마감 후
램리서치반도체 장비실적발표
월가 컨센서스
EPS$1.38
매출$5.88B
실적 발표 결과
EPS
$1.47
+6.5%
매출
$5.84B
-0.7%
시간외 반응+1.5%
핵심 테이크어웨이
- Q3 매출 $5.84B (+24% YoY, +9% QoQ) — 컨센 $5.88B 대비 -0.7% (소폭 미달)
- 조정 EPS $1.47 — 컨센서스 $1.38 +6.5% 상회
- Gross Margin 49.0% — 가이던스 상단 초과
- 어드밴스드 패키징·HBM 장비 수요 견인
- Q4 FY26 매출 가이던스: $5.4B ± $400M
핵심 체크포인트
- 01Etch/증착 장비 수주 — AI 칩 공정 복잡도 증가 효과
- 02NAND 투자 회복 사이클 진입 여부 — 3D NAND 300단+ 전환
- 03HBM 관련 장비 매출 비중 — TSV 에칭, 본딩 공정 수요
- 04GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 전환 → 에칭 공정 단계 35%+ 증가
- 05중국 매출 비중 변화 — 수출 규제 강화 시 매출 ~30% 영향
- 06Gross Margin 48%+ 유지 여부
업사이드 촉매
- GAA 전환: FinFET→GAA로 에칭 공정 단계 35%+ 증가 → Lam Research 최대 수혜
- 3D NAND 300단+ 전환: 에칭·증착 장비 소요량 급격히 증가
- TSMC N2 + Intel 18A 동시 램프업 → 첨단 로직 에칭장비 수요 정점
- CSBG(Customer Support Business) 고마진 서비스 매출 확대
- TurboQuant에도 GAA·3D NAND 300단+ 에칭 수요 견고: 로직 공정 전환이 에칭장비 TAM의 핵심 드라이버
리스크 요인
- 중국 수출 규제: 매출의 ~30%가 중국 — 추가 규제 시 큰 영향
- NAND 투자 회복 지연: 3D NAND CapEx가 예상보다 느리게 회복 시 매출 하방
- 경쟁: Applied Materials, Tokyo Electron과의 에칭/증착 시장 점유율 경쟁
- 구글 TurboQuant: HBM 수요 감소 → 메모리 팹 에칭·증착 장비 투자 축소 리스크 (HBM TSV 에칭 수요 직접 영향)
- 이란전쟁 격화(4/2): 글로벌 매크로 급격 악화(S&P Q1 -4.2%, KOSPI -4.37%) → 반도체 장비 투자심리 위축
EEPS 추이 (최근 12분기)
실제 EPS vs 컨센서스 — 초록 Beat · 빨강 Miss
Beat12
Miss0
컨센서스
1최종 판단
Lam Research는 반도체 에칭·증착 장비 글로벌 1-2위. 구글 TurboQuant(3/22)로 HBM TSV 에칭 수요 전망에 직접적 영향이 우려되나, Lam의 핵심 성장 드라이버는 GAA 전환(에칭 공정 35%+ 증가)과 3D NAND 300단+ 전환이므로 구조적 수요는 견고. 컨센서스 EPS $1.38, 매출 $4.72B.
4/2 이란전쟁 격화(Brent $107+, S&P Q1 -4.2%, KOSPI -4.37%)로 글로벌 매크로가 급격히 악화. 반도체 장비주 전반의 투자심리가 위축되었으나, TSMC N2 + Intel 18A 동시 램프업으로 첨단 로직 에칭장비 수요는 정점 수준.
TurboQuant의 실제 HBM 수요 영향도와 NAND 투자 사이클 회복 시점이 핵심 변수. 중국 매출 비중 ~30%가 최대 구조적 리스크.
2AI & GAA 에칭 수요
GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 전환:
- FinFET → GAA(나노시트)로 에칭 공정 단계 35%+ 증가
- TSMC N2(2nm): GAA 첫 도입, 2025 Q4 양산 시작
- Intel 18A: RibbonFET(GAA) 적용, 2026년 양산 목표
- Samsung 2nm: GAA 적용 파운드리 경쟁
에칭장비 수요 동인:
- 다중 패터닝 → EUV 전환으로 에칭 단계 변화
- 3D 적층 구조(HBM, 3D NAND) → 수직 에칭 수요 폭증
- Selective Etch(선택적 에칭): GAA 핵심 공정 — Lam 독점적 기술력
HBM 장비:
- TSV 에칭: 3D 적층 칩 연결의 핵심
- 웨이퍼 본딩 및 씨닝(thinning) 장비
- HBM4 16단 적층 → TSV 에칭 수요 2x+ 증가
3NAND 사이클 & 재무
3D NAND 투자 사이클:
- 현재: 200-232단이 주류
- 차세대: 300단+ 전환 본격화 (2026-2027년)
- 에칭·증착 장비 소요량: 층수 비례 증가 → Lam 최대 수혜
- SK Hynix, Samsung, Micron 동시 투자 사이클 진입 기대
재무 구조:
- Gross Margin: 48-49% 목표
- CSBG(서비스): 전체 매출의 ~35%, 높은 반복 매출 비중
- 자본 배분: 연간 FCF의 75%+ 주주 환원 (매입+배당)
중국 리스크:
- 매출 비중 ~30% — 추가 규제 시 최대 리스크
- DUV 기반 레거시 장비 수요는 규제 영향 상대적 작음
- 비중국 AI/HBM 수요가 빠르게 성장하여 부분 상쇄
SEPS 서프라이즈 히스토리
Beat12Miss0Beat률 100%
분기별 EPS 컨센서스 대비 서프라이즈(%) — 막대: EPS, 점선: 매출