발표 예정

FY2026 Q3

실적 프리뷰

마이크론

Micron Technology · 반도체 (메모리)

2026년 6월 18일 목·장 마감 후

마이크론메모리HBMDRAM반도체실적발표

월가 컨센서스

EPS$1.65

매출$8.5B

핵심 체크포인트

01HBM3E 매출 — $4B+ 분기 달성 여부 (NVIDIA Blackwell 수요)
02DRAM/NAND ASP 추이 — Apple DRAM 독점 영향 반영
03Gross Margin 40%+ 유지 — HBM 프리미엄 효과
04데이터센터 DRAM 비중 확대 현황 — 전체 DRAM의 60%+
05FY2026 HBM 매출 가이던스 $14B+ 업데이트

업사이드 촉매

HBM3E 8H/12H 양산 확대 → NVIDIA Blackwell 플랫폼 독점 공급 확대
Apple DRAM 독점 반사 수혜: 비Apple DRAM 공급 부족 → ASP 상승 가능
DDR5 서버 교체 사이클 가속 → 데이터센터 DRAM 수요 급증
NAND 감산 효과: 업계 전반 감산 → 2026 H2 가격 반등 기대
1-gamma DRAM 노드 전환 → 비트당 원가 절감으로 마진 개선

리스크 요인

Apple DRAM 독점: Apple이 특정 DRAM 공급 계약 독점 → 모바일 DRAM 수급 왜곡, 마이크론 비Apple 채널 마진 압박
NAND 약세: 재고 조정 완료 시점 불확실, NAND 가격 반등 지연
중국 리스크: 중국 정부의 마이크론 제품 사용 제한 지속
HBM 경쟁: SK하이닉스 HBM3E 점유율 50%+ → 마이크론 2위 탈환 과제
이란전쟁 → 에너지 비용 상승이 팹 운영 비용에 영향

EEPS 추이 (최근 13분기)

실제 EPS vs 컨센서스 — 초록 Beat · 빨강 Miss

Beat9

Miss3

컨센서스

1최종 판단

마이크론 FY2026 Q3는 HBM 슈퍼사이클의 정점을 확인하는 분기. 컨센서스 EPS $8.50, 매출 $18.5B. HBM3E가 NVIDIA Blackwell 플랫폼의 핵심 부품으로 수요가 폭발하면서, 분기 HBM 매출 $4B+ 달성이 핵심.

Apple DRAM 독점 이슈가 시장의 새로운 변수. Apple이 특정 DRAM 노드의 공급을 독점 계약으로 확보하면서, 비Apple 채널의 DRAM 수급이 타이트해지는 역설적 상황. 마이크론에게는 DRAM ASP 상승의 촉매가 될 수 있으나, 모바일 DRAM 채널 전략 재편이 필요.

SK하이닉스 대비 HBM 점유율 격차 축소가 중장기 과제이며, NAND 부문의 실적 개선 시점이 밸류에이션 리레이팅의 열쇠.

2HBM & 메모리 시장

HBM3E 현황:

FY2026 HBM 매출 가이던스: $14B+ (FY2025 $8B 대비 +75%)
8-high 양산 안정화, 12-high 2026 H1 램프
NVIDIA Blackwell GB200 → HBM3E 192GB 탑재, 대당 $40K+ HBM 가치
SK하이닉스와 듀얼 소싱이나 마이크론 점유율 확대 중

DRAM 시장:

서버 DDR5 교체 사이클 본격화 → 데이터센터 DRAM 비중 60%+
Apple DRAM 독점: LP5X 특정 노드 독점 → 모바일 DRAM 시장 수급 재편
DRAM ASP: +15-20% QoQ 상승 추세 (HBM + 서버 수요 견인)

NAND:

여전히 약세 구간이나 업계 감산 효과로 바닥 확인 중
QLC NAND 데이터센터 SSD 수요 회복이 터닝 포인트

3전략 & 경쟁 구도

경쟁 포지셔닝:

SK하이닉스: HBM 시장 점유율 50%+ → 1위 유지
삼성전자: HBM3E 수율 이슈 지속 → 마이크론 대비 뒤처짐
마이크론: 2위이나 빠르게 점유율 확대 중, NVIDIA 인증 획득

기술 로드맵:

1-gamma DRAM: 2026 H2 양산 → 비트당 원가 15-20% 절감
HBM4: 2027년 출시 예정 → SK하이닉스와 1위 경쟁 본격화
CXL 메모리: 차세대 메모리 확장 기술 → 데이터센터 TAM 확대

매크로 영향:

이란전쟁: 팹 전력 비용 상승이나 마이크론 주요 팹은 미국·일본·대만에 위치, 유럽 에너지 직접 영향 제한적
중국 제재: 마이크론 제품 사용 제한 → 연간 $1.5-2B 매출 리스크 지속

실적 발표 목록

핵심 체크포인트

01HBM3E 매출 — $4B+ 분기 달성 여부 (NVIDIA Blackwell 수요)

02DRAM/NAND ASP 추이 — Apple DRAM 독점 영향 반영

03Gross Margin 40%+ 유지 — HBM 프리미엄 효과

04데이터센터 DRAM 비중 확대 현황 — 전체 DRAM의 60%+

05FY2026 HBM 매출 가이던스 $14B+ 업데이트

업사이드 촉매

HBM3E 8H/12H 양산 확대 → NVIDIA Blackwell 플랫폼 독점 공급 확대

Apple DRAM 독점 반사 수혜: 비Apple DRAM 공급 부족 → ASP 상승 가능

DDR5 서버 교체 사이클 가속 → 데이터센터 DRAM 수요 급증

NAND 감산 효과: 업계 전반 감산 → 2026 H2 가격 반등 기대

1-gamma DRAM 노드 전환 → 비트당 원가 절감으로 마진 개선

리스크 요인

Apple DRAM 독점: Apple이 특정 DRAM 공급 계약 독점 → 모바일 DRAM 수급 왜곡, 마이크론 비Apple 채널 마진 압박

NAND 약세: 재고 조정 완료 시점 불확실, NAND 가격 반등 지연

중국 리스크: 중국 정부의 마이크론 제품 사용 제한 지속

HBM 경쟁: SK하이닉스 HBM3E 점유율 50%+ → 마이크론 2위 탈환 과제

이란전쟁 → 에너지 비용 상승이 팹 운영 비용에 영향

1최종 판단

SK하이닉스 대비 HBM 점유율 격차 축소가 중장기 과제이며, NAND 부문의 실적 개선 시점이 밸류에이션 리레이팅의 열쇠.

2HBM & 메모리 시장

HBM3E 현황:

FY2026 HBM 매출 가이던스: $14B+ (FY2025 $8B 대비 +75%)
8-high 양산 안정화, 12-high 2026 H1 램프
NVIDIA Blackwell GB200 → HBM3E 192GB 탑재, 대당 $40K+ HBM 가치
SK하이닉스와 듀얼 소싱이나 마이크론 점유율 확대 중

DRAM 시장:

서버 DDR5 교체 사이클 본격화 → 데이터센터 DRAM 비중 60%+
Apple DRAM 독점: LP5X 특정 노드 독점 → 모바일 DRAM 시장 수급 재편
DRAM ASP: +15-20% QoQ 상승 추세 (HBM + 서버 수요 견인)

NAND:

여전히 약세 구간이나 업계 감산 효과로 바닥 확인 중
QLC NAND 데이터센터 SSD 수요 회복이 터닝 포인트

3전략 & 경쟁 구도

경쟁 포지셔닝:

SK하이닉스: HBM 시장 점유율 50%+ → 1위 유지
삼성전자: HBM3E 수율 이슈 지속 → 마이크론 대비 뒤처짐
마이크론: 2위이나 빠르게 점유율 확대 중, NVIDIA 인증 획득

기술 로드맵:

1-gamma DRAM: 2026 H2 양산 → 비트당 원가 15-20% 절감
HBM4: 2027년 출시 예정 → SK하이닉스와 1위 경쟁 본격화
CXL 메모리: 차세대 메모리 확장 기술 → 데이터센터 TAM 확대

매크로 영향:

이란전쟁: 팹 전력 비용 상승이나 마이크론 주요 팹은 미국·일본·대만에 위치, 유럽 에너지 직접 영향 제한적
중국 제재: 마이크론 제품 사용 제한 → 연간 $1.5-2B 매출 리스크 지속

마이크론

월가 컨센서스

핵심 체크포인트

업사이드 촉매

리스크 요인

EEPS 추이 (최근 13분기)

1최종 판단

2HBM & 메모리 시장

3전략 & 경쟁 구도

댓글

마이크론

월가 컨센서스

핵심 체크포인트

업사이드 촉매

리스크 요인

EEPS 추이 (최근 13분기)

1최종 판단

2HBM & 메모리 시장

3전략 & 경쟁 구도

댓글