왜 지금 메모리인가
메모리(HBM·DRAM·NAND)는 한국이 글로벌 대장주입니다. 1차 익스포저는 삼성전자·SK하이닉스이며, 마이크론이 미국 축을 담당합니다.
SK하이닉스
000660- HBM 글로벌 선두로, AI 가속기향 캐파를 선점하고 있습니다.
- NAND는 솔리다임을 통해 엔터프라이즈 SSD 익스포저를 확보하고, 샌디스크와 HBF(High Bandwidth Flash) 표준화를 협업하고 있습니다.
- NAND 웨이퍼는 감산 기조를 유지하고 있습니다.
삼성전자
005930- DRAM·NAND 세계 최대 캐파를 보유하고 있으며, NAND 점유율 1위에 전 라인업을 갖추고 있습니다.
- HBM 선두 추격이 핵심 변수입니다.
- NAND 투입은 축소하고 있습니다.
마이크론 (MU)
MU- 미국 축으로, DRAM·HBM·NAND 3각 노출을 갖추고 있습니다.
- 1Q26 NAND 매출이 전분기 대비 급증했습니다.
- 신규 팹(Idaho/ID1)은 2027년 이후 가동이라, 단기 완화 요인은 아닙니다.
위성(no-DRAM) — 샌디스크(순수 NAND 베타 + HBF)·키옥시아는 상단 베타가 크지만 하단 변동성도 큽니다. 보완 포지션으로만 봅니다.
지리적 편향 주의 — 광학/CPO·커스텀 실리콘 등 한국 약세 영역은 3사에 억지로 끼우지 않습니다. 메모리에 한정된 대장주입니다.
| 항목 | 값 | 출처 |
|---|---|---|
| NAND 계약가 2Q26 QoQ | +70~75% (사이클 최초 DRAM 추월) | TrendForce |
| DRAM 계약가 2Q26 QoQ | +58~63% | TrendForce |
| DRAM 계약가 1Q26 QoQ | +90~95% (분기 신기록) | TrendForce |
| 512Gb TLC 웨이퍼 현물 | 약 9배 (6개월) | DRAMeXchange |
| NAND 비트공급 증가 2026 | +17% | IDC |
| NAND 수요 증가 2026 | +20~22% | 신디케이트 평균 |
| 삼성 NAND 웨이퍼 | 490만 → 468만 장 (감산) | Omdia |
| SK하이닉스 NAND 웨이퍼 | 190만 → 170만 장 (감산) | Omdia |
| 엔터프라이즈 SSD | 2026 NAND 최대 세그먼트 (최초) | TrendForce |
| HDD | 2026 사실상 완판, 클라우드 매출 89% | WD 실적 |
| NVIDIA ICMS (BlueField-4) | 512GB/DPU · 랙당 9.216TB · 5만 랙 시 0.44EB | Nomura |
| ICMS발 NAND 수요 비중 | 2026 2.8% → 2027 9.3% | Citi |
| NAND 시장 매출 2026 | +112% YoY (~$147.3B) | TrendForce |
| 전체 메모리 시장 | 2026 $551.6B → 2027 $842.7B (+53%) | TrendForce |
| 신규 캐파 유의미 완화 | 2027말~2028 | TrendForce / IDC |
수치는 기관·분기 병기 기준이며 시점에 따라 변동합니다. HBM 점유율 등 기관·분기 편차가 큰 항목은 출처·분기를 병기합니다.
매크로 컨텍스트
Korean AI Infrastructure Beneficiaries
핵심 동인
- Q1 2026 OP KRW 57.2T (YoY +755%, OPM 43%) — 1.8x the 2018 peak
- HBM4 mass production started in Feb, H2 2026 OpenAI Titan chip supply scheduled
- DRAM prices quadrupled in H2 2025, supply shortage forecast through 2030
- Memory super cycle structurally confirmed — AI demand irreversible
- $73B (KRW 110T) semiconductor investment announced (all-time record)
- Probability-weighted fair value KRW 295K vs current KRW 193K — structural undervaluation
리스크
- Samsung May general strike risk (93.1% approval) — 50% Pyeongtaek production impact
- Qatar helium 30% supply disruption affecting fab operations
- Foundry yield gap vs TSMC persists
- Chinese memory competition (CXMT)
애널리스트 컨센서스
2026. 6. 16. 기준
| 증권사 | 애널리스트 | 목표가 | 투자의견 |
|---|
모니터링 트리거
핵심 지표
- Quarterly operating profit and margin
- HBM4 production yield and market share
- DRAM/NAND ASP trends
- Foundry 2nm yield progress
- Samsung strike situation
리뷰 트리거
- Strike prolongation causing production disruption
- DRAM prices turn downward
- HBM market share below 15%
무효화 조건
- Memory super cycle early termination in 2027
- HBM market share below 10%
- Foundry structural losses persist
노트 타임라인
HBM4 H1 2026 mass production start planned. DDR5 price surge significantly improving memory profitability. Foundry recovery is an additional catalyst.
Q1 2026 preliminary results announced (4/7): Revenue KRW 133T, operating profit KRW 57.2T, significantly exceeding market expectations (KRW 40T). Operating margin of 43% is 1.8x the 2018 peak (24%). Q1 alone exceeded 2025 annual profit (KRW 43.6T). Memory super cycle based on structural AI demand, unlike 2018, limiting sharp decline risk. Current price KRW 193,100 reflects Forward P/E ~5x, structural undervaluation not reflecting earnings sustainability. (53% upside). Detailed DS division breakdown needed in confirmed results 4/22~23.
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