한 줄 결론
AI 데이터센터 병목이 연산·메모리·연결성을 지나 전력 전달로 이동했고, SiC·GaN 전력반도체가 800V DC 전환의 실리콘 병목에 앉아 있다.
랙 전력이 120kW에서 600kW로 뛰고 800V DC가 표준이 되는 전환에서, onsemi와 Infineon은 어디에 서 있는가
AI 데이터센터 병목이 연산·메모리·연결성을 지나 전력 전달로 이동했고, SiC·GaN 전력반도체가 800V DC 전환의 실리콘 병목에 앉아 있다.
랙 전력이 120kW에서 600kW(2027)로 뛰며 54V 분배가 물리 한계에 닿았고, NVIDIA가 800V HVDC 아키텍처로 전환하며 onsemi·Infineon을 실리콘 파트너로 지정했다.
수혜 가능성 — Infineon(전력반도체 1위, AI 전력 FY26 15억→FY27 25억 유로), onsemi(데이터센터 매출 2026 두 배), GaN·전력 인프라 공급사. 압박 — 저전압 실리콘 MOSFET 중심 공급사, EV 단일 노출 SiC 업체.
분기마다 onsemi 데이터센터 매출 비중과 Infineon GIP(그린 산업 전력) 세그먼트 — 두 지표가 EV 둔화를 상쇄하며 오르면 축 이동 테제 유효.
지금 데이터센터 설계자가 진짜 묻는 질문은 이것이다. GPU를 몇 장 넣느냐가 아니다. 그 GPU 다발에 전기를 어떻게 손실 없이 꽂느냐다.
랙 전력은 세대마다 완만히 오르지 않았다. 계단식으로 튀었다. GB200에서 120kW, GB300에서 140kW 안팎이던 랙 전력이 Rubin Ultra 세대에서 단번에 600kW로 뛴다. 액체 냉각으로 냉각은 어떻게든 푼다. 남는 문제는 전기다.
전력은 전압 곱하기 전류다(P = V × I). 랙 전력이 600kW인데 분배 전압이 낮으면 전류가 폭증한다. 전류가 커지면 두 가지가 동시에 나빠진다. 부스바 구리가 두꺼워지고 무거워진다. 그리고 열손실이 전류의 제곱(I²R)으로 늘어난다. 전류가 2배면 손실은 4배다.
경로는 하나의 사슬로 이어진다. 랙 전력 급증 → 전류 폭증 → 구리 단면적 한계 → 변환 손실 누적 → 저전압 분배 붕괴. 이 사슬의 끝에서 업계가 내린 결론은 명확하다. 전류를 줄여야 한다. 전류를 줄이는 방법은 전압을 올리는 것뿐이다.
GPU를 더 넣는 싸움은 끝났고, 이제 전기를 어떻게 넣느냐의 싸움이다.
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