한 줄 결론
HBM4는 메모리 역사상 처음으로 베이스 다이를 선단 로직 칩으로 분리한 세대다. 그 순간부터 HBM 부가가치의 일부가 메모리 3사에서 파운드리로 옮겨 붙는다. SK하이닉스·마이크론은 그 몫을 TSMC에 내주고, 삼성전자만 자사 파운드리로 그룹 안에 붙든다 — 단 더 비싼 노드와 수율 리스크를 끼고 가는 비싼 베팅이다.
HBM4부터 베이스 다이(base die)가 선단 로직 칩이 된다. AI 메모리 부가가치의 일부가 메모리 3사에서 파운드리로 옮겨 붙는다. 같은 'HBM 비중'이라도 삼성전자·SK하이닉스·마이크론의 이익 구조는 다르다
HBM4는 메모리 역사상 처음으로 베이스 다이를 선단 로직 칩으로 분리한 세대다. 그 순간부터 HBM 부가가치의 일부가 메모리 3사에서 파운드리로 옮겨 붙는다. SK하이닉스·마이크론은 그 몫을 TSMC에 내주고, 삼성전자만 자사 파운드리로 그룹 안에 붙든다 — 단 더 비싼 노드와 수율 리스크를 끼고 가는 비싼 베팅이다.
확인할 변수는 삼성 4나노·2나노 수율 곡선과 TSMC의 베이스 다이 단가 정책, 마이크론의 2027년 TSMC 램프다. 7월 1일 SAFE 포럼에서 삼성이 수직통합 로드맵을 공식화했고, 7월 2일 급락(삼성전자 -9.1%·SK하이닉스 -14.6%)과 3일 반등은 'HBM 비중' 한 단어로 세 회사를 묶던 셈법을 재채점하게 만들었다.
수혜: TSMC(베이스 다이 부가가치 신규 유입), 삼성전자(마진 그룹 내 잔류 + 파운드리 가동률·2028년 흑자 경로). 전이: SK하이닉스(엔비디아 HBM4 약 70%의 리더지만 베이스 다이 가치 일부 외부 계상), 마이크론(HBM4E부터 TSMC 의존 확대). 압박: 수율이 잡히지 않으면 삼성의 수직통합은 해자가 아니라 비용이 된다.
시장의 셈법은 단순하다. 범용 D램은 변동성 큰 코모디티고, HBM은 AI에 묶인 고마진 고정 수요다. 그러니 HBM 비중이 높은 회사일수록 안전하다. 여기까지는 맞다.
구멍은 ' 마진을 전부 메모리 회사가 가져간다'는 암묵적 전제에 있다. HBM3E까지는 그게 사실이었다. 코어 다이도 베이스 다이도 같은 D램 공정으로 메모리사가 직접 찍었다. 부가가치가 새어 나갈 곳이 없었다.
HBM4가 그 전제를 깬다. JEDEC(국제 반도체 표준화 기구)가 확정한 HBM4 표준 JESD270-4는 2048비트 인터페이스에 스택당 최대 2TB/s, 채널 수를 16개에서 32개로 두 배 늘렸다. 이 대역폭을 감당하려면 스택 맨 아래 베이스 다이가 더는 단순 배선판일 수 없다. 베이스 다이가 연산·테스트·전력관리를 담은 선단 로직 칩으로 바뀐다. 그리고 선단 로직은 파운드리의 영역이다.
핵심은 이것이다. HBM4는 코어 다이는 D램 공정, 베이스 다이는 선단 로직 공정으로 처음 공정을 분리한 세대다. 그 순간부터 'HBM 비중'이라는 한 단어 안에 메모리 마진과 마진이 섞이기 시작한다.
HBM4부터 'HBM 비중' 한 단어 안에 서로 다른 두 회사의 마진이 섞여 있다.
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