글로벌 반도체 CapEx 사이클 Part 1 — 매크로 분해

1.1 2나노 5개 fab 동시 가동의 의미

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[그림 1] _TSMCTSM 2나노 5개 fab 동시 가동 — 2026년 본격 케파_

TSMCTSM 2나노(N2) 양산은 2025년 4분기에 가오슝 Fab 22에서 시작되어, 2026년 본격 케파 확장에 진입한다. 2026년 가동되는 5개 fab은 신주 클러스터의 Fab 20·신주2(R&D 인접)와 가오슝 클러스터의 Fab 22·가오슝2·가오슝3으로 구성된다. 첫해 웨이퍼 생산량이 2023년 3나노 첫해 대비 +45% 수준이라는 점은 매우 중요한데, 이는 TSMCTSM가 2나노에 대해 3나노 도입 당시보다 훨씬 공격적인 케파 투자를 단행하고 있다는 신호다.

이 가속화의 직접 동력은 AI 가속기 수요다. 엔비디아 베라 루빈 아키텍처가 2나노 + HBM4 + CoWoS-L 조합을 채택하면서 TSMCTSM는 단일 고객사에 의해 2나노 케파의 50% 이상을 사전 락업당한 상태다. AMDAMD MI400 시리즈와 AWS·GoogleGOOGL·MetaMETA·MicrosoftMSFT의 ASIC 칩 또한 2나노로 수렴 중이다. 즉 2나노 fab 5개 동시 가동은 단일 시나리오가 아니라 빅테크 5~7개 사업자의 동시 수요 폭증에 대한 대응이다.

1.2 공정·패키징별 CAGR — SoIC가 가장 빠르다

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[그림 2] _TSMCTSM 공정·패키징별 케파 확장 CAGR_

TSMCTSM가 공식적으로 가이던스한 케파 CAGR을 비교하면 흥미로운 패턴이 드러난다. 2나노가 2026~2028년 CAGR 70%로 매우 가파르지만, 어드밴스드 패키징은 그보다 빠르다. CoWoS는 2022~2027년 CAGR 80% 이상, SoIC는 90% 이상이다. 3나노는 같은 기간 CAGR 25%로 패키징 대비 약 1/3~1/4 속도다. 이 패턴이 의미하는 바는 명확하다 — AI 시대 반도체 가치사슬에서 가장 빠르게 성장하는 영역은 첨단 공정이 아니라 어드밴스드 패키징이다.

SoIC가 90%+로 가장 가파른 이유는 NVIDIANVDA Rubin Ultra(2027) 및 차세대 Feynman(2028) 아키텍처가 SoIC를 핵심 패키징 기술로 채택할 예정이기 때문이다. SoIC는 copper-to-copper 하이브리드 본딩 기술을 활용한 3D 수직 적층으로 트랜지스터 밀도를 획기적으로 끌어올린다. SoIC 케파 1만 웨이퍼당 CapEx는 약 $6.8~7.0B로, CoWoS 대비 단위 케파당 자본 집약도가 훨씬 높다. 즉 SoIC CAGR 90%는 자본 집약도와 결합되어 어드밴스드 패키징 장비 시장 전체에서 가장 큰 발주 폭증을 만든다.

1.3 해외 fab 동반 가속 — 애리조나 +80%, 구마모토 +130%

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[그림 3] _TSMCTSM 해외 fab 케파 — 미국·일본 모두 가파른 증가_

TSMCTSM 해외 fab 확장은 2026년이 변곡점이다. 미국 애리조나 1공장의 2026년 생산량은 2025년 대비 +80%, 일본 구마모토 1공장은 +130%다. 트럼프 행정부 압박으로 2025년 3월 4일 발표된 미국 $1,000억 추가 투자(5개 공장 추가)까지 더해지면, 미국 내 TSMCTSM 케파는 2026~2030년 동안 가장 가파른 누적 성장 곡선을 그리게 된다.

해외 fab 가속의 의미는 한·일 소부장 입장에서 매우 중요하다. TSMCTSM가 해외에서 fab을 신설할 때마다 소재·부품·장비의 글로벌 운송·승인·현지화가 동반되는데, 한국 소부장(특히 한미반도체042700·HPSP403870)과 일본 소부장(특히 DISCO·Tokyo Electron)은 이미 글로벌 공급망 관계가 검증된 상태이므로 매출 확대의 직접 수혜자가 된다. 특히 미국 애리조나 어드밴스드 패키징 시설은 2027~2028년 본격 가동 예정이며, 이는 2025~2026년에 장비 발주가 집중되는 기간으로 작동한다.

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[그림 4] _글로벌 메모리 3사 케파 확장 일정 — 2026~2028 동시 가동기_

2.1 SK하이닉스000660 — 청주 클러스터 + 인디애나 + 용인 4축

SK하이닉스000660의 케파 확장은 4개 축으로 진행된다. 첫째, 청주 M15X(D램 + HBM 전공정, 20조원)가 2025년 10월 클린룸 오픈을 완료했고 현재 장비 셋업이 순조롭게 진행 중이다. 둘째, 청주 P&T7 어드밴스드 패키징 fab(19조원)이 2026년 4월 22일 착공되었으며, WT(Wafer Test) 라인은 2027년 10월, WLP(Wafer Level Packaging) 라인은 2028년 2월 완공 일정이다. P&T7 부지 23만㎡(7만 평)에는 WLP 라인 3개 층(약 6만㎡)과 WT 라인 7개 층(약 9만㎡)이 들어서며 클린룸 면적만 약 15만㎡(4.6만 평)에 달한다.

셋째, 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에 38억 7천만 달러(약 5.59조원) 규모의 어드밴스드 패키징 공장이 건설 중이며, 2028년 가동 목표다. 넷째, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 조성도 병행되고 있다. 이 4개 축이 완성되면 SK하이닉스000660는 청주(전공정 + 후공정) - 인디애나(미국 후공정) - 용인(전공정 신규)으로 이어지는 글로벌 AI 메모리 생산 삼각 체제를 구축한다. P&T7 공사 기간 중 일평균 320명, 최대 9,000명 인력이 투입되며, 완공 후 약 3,000명의 상시 운영 인력이 근무한다는 점은 후공정 케파 확장의 절대 규모를 정량 확인시켜준다.

2.2 삼성전자005930 — 평택 P4·P5 동시 추진

삼성전자005930의 케파 확장은 평택캠퍼스를 중심으로 가속 중이다. 가장 핵심적인 변경은 P4 Ph4의 가동 시점을 2027년 1분기에서 2026년 4분기로 3개월 앞당긴 것이다. P4 Ph4는 1c D램 월 8만장 케파로 HBM4의 베이스다이를 직접 생산하는 라인이며, 당초 파운드리용으로 계획되었으나 HBM4 수요 폭증에 따라 메모리로 전환되었다. 7월 클린룸 구축, 3분기 장비 반입, 4분기 가동의 일정이다.

P4 Ph2 또한 같은 패턴이다 — 당초 파운드리용으로 공사 일시 중단 상태였으나 HBM4 D램 전용 라인으로 재가동이 확정되었다. 본 공사는 2026년 2분기 착수, 가동 준비는 2027년 상반기다. P5는 평택 5공장으로 2026년 4월 착공, 2027년 골조 마감, 2028년 하반기 가동 목표로 진행된다. P5는 4개 구성의 P4와 달리 8개 클린룸이 들어서는 대형 종합 fab이며, D램·HBM + 파운드리 일부의 통합 거점으로 운영될 가능성이 높다. HBM4부터는 베이스다이가 4nm 로직 공정으로 제조되므로 메모리·파운드리·패키징 수직계열화에서 P5의 전략적 중요성이 매우 크다.

2.3 마이크론 — Idaho + NY + Singapore 글로벌 분산

마이크론은 FY2026 CapEx를 기존 $18B에서 $20B로 +$2B 상향 조정했다. 이 추가 자금은 HBM 케파와 1-감마(1γ) D램 케파 확대에 우선 배정되며, 글로벌 분산 투자 구조로 진행된다. 핵심은 Q1 FY2026 컨퍼런스콜에서 명시된 대로 "2026년에는 신규 fab 클린룸 케파가 없음"이라는 점이다. 즉 마이크론은 2026년 동안 기존 fab을 활용하면서 HBM 패키징과 1-감마 D램 케파를 확대하는 패턴으로 운영된다. 신규 케파의 본격 기여는 2027년부터 시작된다.

Idaho ID1 fab은 첫 웨이퍼 출하 시점을 당초 2027년 하반기에서 2027년 중반으로 앞당겼고, ID2 fab은 2026년 착공 후 2028년 말 가동 예정이다. 뉴욕 메가팹은 $100B 규모로 2026년 초 착공, 2030년 이후 본격 공급 일정이다. Singapore HBM 어드밴스드 패키징 시설은 2027년부터 마이크론 HBM 공급에 본격 기여하며, 일본 신규 fab 모듈도 2028년 말 가동 예정이다. 미국 본토 총 투자는 2045년까지 약 $150B(6개 fab) + R&D $50B로 발표되었다.

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[그림 5] _메모리 3사 주요 케파 투자 규모_

투자 규모 비교에서 가장 두드러지는 것은 마이크론 NY 메가팹의 $100B 단일 프로젝트 규모와 SK하이닉스000660의 청주 M15X+P&T7 합산 39조원이다. 한국 메모리 2사의 합산 투자(SK 39조+α + 삼성 P4·P5 약 30~40조 추정)는 마이크론 단일 NY 메가팹과 비슷한 영역이지만, 가동 시점이 2026~2028년으로 마이크론 NY(2030+) 대비 훨씬 빠르다. 즉 한국 케파가 글로벌 AI 메모리 공급의 단기 주도권을 갖고, 마이크론은 2030년 이후 미국 본토 공급의 주도권을 갖는 분업 구조가 형성된다.

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[그림 6] _소부장 사이클 전이 메커니즘_

3.1 3중 누적의 정량적 의미

AI Capex의 폭증이 소부장 매출로 전이되는 메커니즘은 다음 3개 채널의 동시 발주로 작동한다. 채널 1: 파운드리 케파 — TSMCTSM 2나노 5개 fab + CoWoS·SoIC 80~90% CAGR 확장이 직접 만드는 장비·소재 발주. 채널 2: 메모리 케파 — SK·삼성·마이크론의 동시 fab 신설/가동이 만드는 D램·HBM 라인 장비·소재 발주. 채널 3: 해외 fab 케파 — TSMCTSM 애리조나·구마모토·인디애나 + 마이크론 NY·Singapore + 삼성 미국 등 해외 거점 신규 가동이 만드는 글로벌 분산 발주.

과거 사이클에서 이 3개 채널은 시간차를 두고 순차적으로 활성화되는 경우가 일반적이었다. 그러나 2026~2028년에는 3개 채널이 동시 활성화 + 각각 가속 중인 매우 이례적 구조로 진입한다. 이 동시성은 단순 합산이 아니라 누적 효과(compounding)를 만든다. 예를 들어 한미반도체042700 TC본더는 SK 청주 P&T7 + 삼성 P4 Ph4 + 마이크론 Singapore + TSMCTSM SoIC 본딩 라인 모두에서 동시에 발주를 받게 되며, 이는 단일 채널 활성화 시 대비 3~4배 매출 증가의 정량적 근거가 된다.

3.2 전공정·후공정·소재 동반 수혜 구조

소부장 3중 발주는 전공정·후공정·소재 세 영역을 동시에 활성화시킨다. 전공정 영역에서는 식각·증착·세정·노광 장비가 핵심이며, ASMLASML(EUV 노광 독점), Tokyo Electron(코트/디벨로퍼·식각), Applied Materials(증착·식각), Lam Research(식각·증착), KLA(검사)가 글로벌 1차 수혜자다. 한국에서는 원익IPS(증착)·주성엔지니어링(증착)이 메모리 fab 향 매출 직접 수혜다. HPSP403870는 고압 어닐링 장비를 사실상 독점하면서 28/32nm 이하 미세공정의 필수 장비로 자리잡고 있다.

후공정 영역에서는 패키징 본딩 장비가 핵심이다. TC본더는 한미반도체042700가 글로벌 점유율 71.2%(테크인사이츠)로 압도적이며, 한화세미텍이 SK하이닉스000660 일부 발주에 진입하면서 잠식 시나리오가 형성되고 있다. 하이브리드 본더는 BESI가 글로벌 1위로, 2023년 €36M에서 2026년 €476M까지 매출 확장(CAGR 137%)이 전망된다. ASMPT는 2세대 하이브리드 본더 양산을 시작했고, Tokyo Electron과 Canon이 일본 기반의 직접 경쟁자로 부상하고 있다. 검사 장비는 KLA(글로벌 1위)와 한국 인텍플러스064290가 패키징 후공정 검사에서 핵심이다.

소재 영역에서는 일본 사업자의 점유율이 압도적이다. NCF(Non-Conductive Film)와 EMC(Epoxy Molding Compound) 소재는 Resonac이 1~2위, 언더필 소재는 Namics가 1~2위, FC-BGA 기판은 Ibiden과 Shinko가 양분 구조로 시장을 지배한다. 한국에서는 이수페타시스007660가 AI 가속기용 고다층 PCB로 직접 수혜를 받는다. 이런 소재 영역의 일본 의존도는 HBM4 시대에 더욱 심화될 가능성이 높은데, 16단 이상 적층 + 하이브리드 본딩 도입이 일본 NCF/EMC/언더필 사용량을 비례 증가시키기 때문이다.

3.3 점유율 50%+ 사업자 집중 — 1차 수혜의 정량 식별

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[그림 7] _어드밴스드 패키징 소부장 — 한국·일본 지배 구조_

1차 수혜 식별의 핵심 기준은 글로벌 시장 점유율이다. 점유율 50% 이상의 사업자는 케파 확장 사이클에서 매출 비례적 수혜를 받는 구조이므로, 본 메크로 리포트는 점유율 50%+ 사업자에 1차 수혜 카테고리를 한정한다. 일본 측에서는 DISCO(웨이퍼 연삭/절단 70~80%), Resonac(NCF·EMC 약 50%), Ibiden + Shinko(FC-BGA 약 65% 양분), Namics(언더필 약 45%)가 해당된다. 한국 측에서는 한미반도체042700(TC본더 71.2%)와 HPSP403870(고압 어닐링 사실상 독점, 100%)가 해당된다. 글로벌 사업자로는 BESI(하이브리드 본딩 약 50% 1위)가 핵심이며, 글로벌 1위가 아닌 카테고리(검사·테스트·일부 소재)는 한국·일본 사업자가 분산 수혜를 받는다.

한국 소부장의 1차 수혜는 어드밴스드 패키징 후공정 영역에 집중된다. 사이클 전이 메커니즘에서 한국이 점유율 50%+ 사업자를 보유한 카테고리는 TC본더(한미반도체042700 71.2%)와 고압 어닐링(HPSP403870 사실상 독점) 두 영역이며, 보조 카테고리로는 패키징 검사(인텍플러스064290), AI 가속기 PCB(이수페타시스007660), 메모리 전공정 증착(원익IPS·주성엔지니어링), 비메모리 후공정(프로텍), 테스트 핀(리노공업)이 있다.

4.1 TC본더 — 한미반도체042700

한미반도체042700는 HBM 생산용 TC본더 글로벌 점유율 71.2%(테크인사이츠)로 압도적 1위 사업자다. 7공장 신설을 통해 2025년 1.4조원 → 2026년 2조원 규모의 TC본더 케파를 확보할 계획이며, 16단 이상 HBM 생산용 첨단 TC본더가 엔비디아·AMDAMD·브로드컴에 공급될 예정이다. SK하이닉스000660 청주 P&T7(WLP 28.02 가동), 삼성 P4 Ph4(26.4Q 가동), 마이크론 Singapore HBM 패키징(27 본격) 모두에서 TC본더 발주가 예상된다.

주된 변수는 한화세미텍의 SK하이닉스000660 진입 가속도다. 2025년 SK하이닉스000660가 한화세미텍에 805억원 규모 TC본더를 발주하면서 잠식 시나리오가 본격화되었으나, 마이크론에서 Top Supplier 지위를 받은 한미반도체042700의 글로벌 1위 입지는 여전히 견고하다. HBM4용 TC본더4 신장비 ASP가 기존 모델 대비 +30~40% 인상될 전망이라는 점은 매출 확대의 핵심 동력이다. 정량 분석은 Part 2에서 심층 다룬다.

4.2 고압 어닐링 — HPSP403870

HPSP403870는 고압 수소 어닐링 장비 GENI-SYS의 사실상 독점 사업자로, High-K 절연막의 Interface Defect 문제를 해결하는 28/32nm 이하 미세공정 필수 장비를 공급한다. 글로벌 메이저 반도체 업체의 양산 fab에서 20기압 환경의 결함 개선 공정을 수행하며, 첨단 미세화로 갈수록 결함률 관리와 장비 신뢰성의 중요성이 커지므로 매출 비례 수혜 구조다. 차세대 와이드 TC본더 + 하이브리드 본딩 시대에는 본딩 수율 개선을 위한 어닐링 공정 활용도가 더욱 높아질 전망이다.

또한 HPSP403870는 고압 산화막 장비(HPO)와 톡신 가스 활용 신장비를 준비 중이며, 이들은 고압 어닐링과 비슷한 수준의 TAM을 확보 가능한 시장으로 평가된다. 즉 단일 제품 의존도 우려가 점진 해소되는 구조이며, 사이클 전이의 다년 수혜자로 분류된다.

4.3 보조 수혜 — 검사·PCB·전공정·후공정·테스트

이 6개 보조 수혜 기업은 한국 소부장 사이클 전이의 분산 노출을 제공한다. 인텍플러스064290는 HBM 16단+ 적층의 외관 검사 수요 증가의 직접 수혜이며, 이수페타시스007660는 AI 가속기용 고다층 PCB로 빅테크 직접 노출이 가능하다. 원익IPS와 주성엔지니어링은 메모리 fab 신설 시 증착 장비 발주의 직접 수혜이고, 프로텍은 비메모리 + 전력 반도체 후공정에서 차별화된 사업 영역을 갖는다. 리노공업은 HBM·AI 반도체 테스트의 필수 부품 사업자로, 수익성과 안정성에서 가장 높은 영역에 위치한다. 각 기업의 정량 분석과 시나리오는 Part 2에서 심층 다룬다.

일본 소부장은 한국과 정반대 구조다. 어드밴스드 패키징 소재·장비 영역의 다수 카테고리를 일본이 지배하며, 한국 메모리 3사가 HBM4 시대에 진입할수록 일본 의존도가 오히려 심화되는 패턴이 형성되고 있다. 디지털투데이 분석에 따르면 HBM 제조의 전 공정에 걸쳐 일본 소부장 기업들의 지배력이 절대적이며, 웨이퍼 연삭(DISCO 70~80%) → NCF/EMC 소재(Resonac) → 언더필(Namics) → FC-BGA 기판(Ibiden+Shinko) → 하이브리드 본딩 장비(TEL+Canon)의 가치사슬이 일본 사업자로 수직 통합된다.

5.1 웨이퍼 가공 + 본딩 장비

DISCO는 웨이퍼 연삭/절단 장비에서 글로벌 점유율 70~80%로 압도적 1위다. HBM이 16단 → 20단 → 24단으로 적층 단수가 증가할수록 웨이퍼를 더 얇게 연삭해야 하므로 DISCO의 매출 비례 수혜 구조가 강화된다. Tokyo Electron(TEL)은 식각·증착·세정·코트/디벨로퍼 등 전공정 종합 장비 사업자로, 메모리 fab 신설 시 발주 비례 수혜자다. TEL의 시가총액은 2024년 3월 기준 약 160조원으로 일본 3위 대기업이며, 2024년 닛케이 225 랠리의 중심에 있었다.

하이브리드 본더 영역은 향후 가장 빠르게 성장할 영역이다. 16단 이상 HBM4부터 기존 MR-MUF 방식에서 범프 없는 하이브리드 본딩으로 공정이 전환되는데, Tokyo Electron과 Canon의 본딩 장비가 핵심으로 부상하고 있다. 테크인사이츠는 일본 장비 없이는 HBM4 양산이 어려운 상황이라고 분석한다. ASMPT(싱가포르 기반)도 2세대 하이브리드 본더 양산을 시작했으나, 일본 사업자의 메모리 3사 직접 노출이 더 강한 구조다.

5.2 소재 영역 — 일본 4대 사업자 지배

NCF·EMC 소재의 Resonac, 언더필 소재의 Namics, FC-BGA 기판의 Ibiden과 Shinko가 일본 4대 소재 사업자다. 이들의 지배력은 단순 점유율 1위 수준이 아니라 HBM 제조 핵심 공정의 필수 소재 공급사라는 구조적 입지에서 비롯된다. FC-BGA 기판은 GPU와 HBM을 연결하는 핵심 기판으로, Ibiden과 Shinko가 시장을 양분한다. 과거 이들의 생산량 조절이 AI 반도체 생산의 병목 현상을 일으킨 주요 원인으로 지목되었으며, HBM4 시대에는 이 영향력이 더욱 커질 전망이다.

또 하나 주목할 점은 일본 소부장의 미국 진출 가속이다. Resonac이 주도하는 US-JOINT 컨소시엄은 2024년 7월 일본·미국 10개사로 출발해 토판홀딩스 합류로 11개사로 확대됐다. 일본 측은 Resonac, MEC, Namics, 알박, 도쿄오카공업(TOK), Toba가 참여하며, 미국 측은 Azimuth Industrial, KLA, Kulicke & Soffa Industries, Moses Lake Industries가 합류했다. US-JOINT는 2026년 본격 가동되어 차세대 패키징 기술 개발을 가속한다는 계획이다. 이는 TSMCTSM 애리조나 + 마이크론 NY · Idaho 가동기와 정확히 맞물리는 시점이다.

5.3 핵심 사업자 정리

일본 소부장 10개 핵심 사업자는 사이클 전이의 매우 강한 1차 수혜자다. 한국 사업자가 점유율 50%+ 카테고리 2개(TC본더·고압 어닐링)에 집중된 반면, 일본은 6개 카테고리(웨이퍼 가공·전공정 종합·하이브리드 본더·NCF/EMC·언더필·FC-BGA)에 걸쳐 점유율 50%+ 또는 시장 양분 구조의 사업자를 보유한다. 따라서 일본 소부장은 사이클 전이 수혜의 분산도와 누적 효과 측면에서 한국보다 더 폭넓은 노출 구조를 갖는다고 평가된다. 각 기업의 정량 분석과 매출 시나리오는 Part 3에서 심층 다룬다.

6.1 사이클 지속 여부 핵심 지표

AI Capex 사이클의 정점·하강 시점을 모니터링하기 위한 핵심 지표는 다음 6개다. 첫째, 빅테크 분기 CapEx 가이던스 — MicrosoftMSFT, GoogleGOOGL, MetaMETA, AmazonAMZN의 분기 컨퍼런스콜에서 AI 인프라 투자 가이던스가 상향 vs 하향되는 추이가 가장 빠른 선행 지표다. 2025년 글로벌 빅테크 총 CapEx는 4,338억 달러였고, 2026년 추가 상향이 진행 중이다. 둘째, TSMCTSM 분기 가이던스 — 어드밴스드 패키징 매출 비중(2025년 ~8% → 2026년 10%+ 예상)과 CoWoS·SoIC 케파 가이던스가 직접 신호다.

셋째, 메모리 3사 분기 가이던스 — SK하이닉스000660 P&T7 진행 상황, 삼성 P4 Ph4 가동 검증, 마이크론 Idaho ID1 첫 웨이퍼 출하 시점이 핵심이다. 넷째, 한·일 소부장 분기 수주 공시 — 한미반도체042700 TC본더 신규 수주, HPSP403870 분기 수주 잔고, DISCO·Tokyo Electron의 메모리·파운드리 향 매출 분해. 다섯째, 한화세미텍 SK하이닉스000660 잠식 진척 — 분기별 한미:한화 발주 비율의 변화 추이. 여섯째, BESI 하이브리드 본딩 분기 매출 — 2026년 €476M 가이던스 vs 실적 검증.

6.2 본 리포트의 한계 — Part 2·3 심층 분석 예고

본 매크로 리포트(Part 1)는 사이클 전이 메커니즘과 1차 수혜 카테고리 식별에 초점을 맞추었다. 그러나 각 기업의 정량 분석 — 매출 시나리오, 영업이익 분해, 멀티플 비교, 리스크 매트릭스, 포지셔닝 가이드 — 는 다루지 않았다. 이는 다음 두 편의 리포트에서 심층 다룬다.

Part 2(한국 소부장 심층) — 한미반도체042700, HPSP403870, 인텍플러스064290, 이수페타시스007660, 원익IPS, 주성엔지니어링, 프로텍, 리노공업 8개 기업의 풀 정량 분석. 각 기업당 5~7페이지, 매출 분해 + 점유율 시나리오 + 글로벌 동종 멀티플 비교 + 분기 수주 공시 모니터링 가이드를 포함한다. 한미반도체042700 IC Memo No. 3에서 이미 다룬 정량 모델을 기반으로, 다른 7개 기업도 동일 수준 분석으로 확장된다.

Part 3(일본 소부장 심층) — DISCO, Tokyo Electron, Canon, Resonac, Namics, Ibiden, Shinko, ASMPT, 신에쓰화학, SUMCO 10개 기업의 풀 정량 분석. 각 기업당 4~5페이지, 글로벌 매출 분해 + HBM/CoWoS 비중 + 한국 IT 자금의 일본 직접 투자 접근법(JDR/ETF 등) + 환율·지정학 리스크를 포함한다.

| FINAL TAKEAWAY AI 시대의 반도체 CapEx 사이클은 단일 영역의 활성화가 아닌 "TSMCTSM 2나노 + 메모리 3사 동시 fab 가동 + 어드밴스드 패키징 80~90% CAGR + 해외 fab 동반 가속"의 4중 누적 구조다. 이 4중 누적이 만드는 소부장 3중 발주 사이클은 2026~2028년 가장 강하게 작동하며, 한국(2개 카테고리 점유율 50%+)과 일본(6개 카테고리 점유율 50%+)의 핵심 사업자에 집중된다. 본 리포트는 매크로 식별이고, Part 2·3은 종목 단위 정량 분석이다. |

주된 리스크 — 사이클이 지속될 가능성에 대한 가장 큰 견제는 (1) 빅테크 CapEx의 절대 한계, (2) AI 수요의 ROI 검증 압박, (3) 메모리 가격 정점 시그널, (4) 미·중 지정학 격화로 인한 공급망 분단이다. 그러나 현 시점에서는 4가지 모두 활성화되지 않은 상태이며, 사이클의 본격 정점은 2027~2028년 영역에서 검증될 것으로 예상된다. 본 리포트의 결론은 단일 시나리오 가정이 아니라 발표된 사실 기반의 케파 일정 매핑이며, 시점·강도 변수의 모니터링은 분기 단위로 지속되어야 한다.

6.3 데이터 신뢰도 체크리스트

_— END OF PART 1 —_

해랑달 리서치 · AI CapEx Cycle Series · Part 1: Macro · 2026.04.27

_Part 2 (한국 소부장 심층) · Part 3 (일본 소부장 심층) — 발간 예정_